N-kanaaltransistor IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

N-kanaaltransistor IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
14.02€
5-14
12.99€
15-29
12.22€
30+
11.45€
Hoeveelheid in voorraad: 36

N-kanaaltransistor IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 40m Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 300V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 6300pF. Functie: N-Channel Enhancement Mode. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 220A. Kanaaltype: N. Kosten): 950pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 600W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 25 ns. Td(uit): 96 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Origineel product van fabrikant: IXYS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:04

Technische documentatie (PDF)
IXTQ88N30P
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
88A
Idss (max)
1mA
Aan-weerstand Rds Aan
40m Ohms
Behuizing
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-3P
Spanning Vds(max)
300V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
6300pF
Functie
N-Channel Enhancement Mode
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
100uA
Id(imp)
220A
Kanaaltype
N
Kosten)
950pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
600W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
25 ns
Td(uit)
96 ns
Technologie
PolarHT Power MOSFET
Trr-diode (min.)
250 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
2.5V
Origineel product van fabrikant
IXYS