N-kanaaltransistor IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V

N-kanaaltransistor IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.92€
5-24
3.41€
25-49
2.99€
50-99
2.64€
100+
2.17€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 40

N-kanaaltransistor IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 55V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 2770pF. Functie: N-Channel Enhancement Mode. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 2uA. Id(imp): 240A. Kanaaltype: N. Kosten): 420pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 19 ns. Td(uit): 39 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: IXYS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:04

Technische documentatie (PDF)
IXTP90N055T2
30 parameters
Ic(T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
90A
Idss (max)
200uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.07 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220
Spanning Vds(max)
55V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
2770pF
Functie
N-Channel Enhancement Mode
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
2uA
Id(imp)
240A
Kanaaltype
N
Kosten)
420pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
150W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
19 ns
Td(uit)
39 ns
Technologie
TrenchT2TM Power MOSFET
Trr-diode (min.)
37 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
IXYS

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor IXTP90N055T2