N-kanaaltransistor IXTA36N30P, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.092 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263AB ). Spanning Vds(max): 300V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 2250pF. Functie: N-Channel Enhancement Mode. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 90A. Kanaaltype: N. Kosten): 370pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 24 ns. Td(uit): 97 ns. Technologie: PolarHTTM Power MOSFET. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: IXYS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:04