N-kanaaltransistor IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V

N-kanaaltransistor IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
20.19€
5-9
19.23€
10-24
17.06€
25+
15.82€
Hoeveelheid in voorraad: 23

N-kanaaltransistor IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. C(inch): 2700pF. CE-diode: ja. Collectorstroom: 60A. Functie: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Germaniumdiode: -. Ic(puls): 60.4k Ohms. Kanaaltype: N. Kosten): 270pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 25 ns. Td(uit): 100 ns. Trr-diode (min.): 120ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Origineel product van fabrikant: IXYS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:57

Technische documentatie (PDF)
IXGH32N60BU1
24 parameters
Ic(T=100°C)
32A
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT
Collector-emitterspanning Vceo
600V
Aantal aansluitingen
3
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
C(inch)
2700pF
CE-diode
ja
Collectorstroom
60A
Functie
Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed)
Ic(puls)
60.4k Ohms
Kanaaltype
N
Kosten)
270pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
200W
Poort-/emitterspanning VGE(th) min.
2.5V
Poort-/emitterspanning VGE(th)max.
5V
Poort-/emitterspanning VGE
20V
RoHS
ja
Td(aan)
25 ns
Td(uit)
100 ns
Trr-diode (min.)
120ns
Verzadigingsspanning VCE(sat)
2.3V
Origineel product van fabrikant
IXYS