N-kanaaltransistor IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V

N-kanaaltransistor IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
23.59€
5-9
22.47€
10-24
20.54€
25+
19.09€
Hoeveelheid in voorraad: 10

N-kanaaltransistor IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 133A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 7600pF. Functie: Elektrisch geïsoleerd achteroppervlak. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 400A. Kanaaltype: N. Kosten): 2900pF. Let op: isolatiespanning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuut. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(aan): 30 ns. Td(uit): 150 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: IXYS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:04

Technische documentatie (PDF)
IXFR200N10P
32 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
133A
Idss (max)
1mA
Aan-weerstand Rds Aan
0.009 Ohms
Behuizing
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Behuizing (volgens datablad)
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Spanning Vds(max)
100V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
7600pF
Functie
Elektrisch geïsoleerd achteroppervlak
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
400A
Kanaaltype
N
Kosten)
2900pF
Let op
isolatiespanning 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuut
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
300W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
dv/dt 10V/ns
Td(aan)
30 ns
Td(uit)
150 ns
Technologie
Polar HiPerFet Power MOSFET
Trr-diode (min.)
150 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
IXYS