N-kanaaltransistor IXFH32N50, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V

N-kanaaltransistor IXFH32N50, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
25.79€
5-9
24.56€
10-24
22.45€
25+
20.99€
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd
Geen voorraad meer
Equivalentie beschikbaar

N-kanaaltransistor IXFH32N50, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. Spanning Vds(max): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 5700pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 200uA. Id(imp): 128A. Kanaaltype: N. Kosten): 750pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 360W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(aan): 35 ns. Td(uit): 110 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: IXYS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:04

Technische documentatie (PDF)
IXFH32N50
31 parameters
ID (T=25°C)
32A
Idss (max)
1mA
Aan-weerstand Rds Aan
0.15 Ohms
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247AD
Spanning Vds(max)
500V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
5700pF
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
30
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
200uA
Id(imp)
128A
Kanaaltype
N
Kosten)
750pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
360W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
dv/dt 5V/ns
Td(aan)
35 ns
Td(uit)
110 ns
Technologie
HiPerFet Power MOSFET
Trr-diode (min.)
250 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
IXYS

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor IXFH32N50