N-kanaaltransistor IXFA130N10T2, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.01 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 6600pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 10uA. Id(imp): 300A. Kanaaltype: N. Kosten): 640pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 360W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 16 ns. Td(uit): 24 ns. Technologie: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: IXYS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:04