N-kanaaltransistor IRLR8726TRPBF, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

N-kanaaltransistor IRLR8726TRPBF, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-1
0.59€
2-4
0.48€
5-49
0.42€
50-99
0.38€
100+
0.33€
Hoeveelheid in voorraad: 178

N-kanaaltransistor IRLR8726TRPBF, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 2150pF. Equivalenten: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Functie: Zeer lage RDS on-resistentie bij 4,5 V VGS. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 340A. Kanaaltype: N. Kosten): 480pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Ultra-lage poortimpedantie. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

IRLR8726TRPBF
32 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
61A
ID (T=25°C)
86A
Idss (max)
150uA
Aan-weerstand Rds Aan
4m Ohms
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spanning Vds(max)
30 v
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
2150pF
Equivalenten
IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF
Functie
Zeer lage RDS on-resistentie bij 4,5 V VGS
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
340A
Kanaaltype
N
Kosten)
480pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
75W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Ultra-lage poortimpedantie
Td(aan)
12 ns
Td(uit)
15 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
24 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.35V
Vgs(th) min.
1.35V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier