N-kanaaltransistor IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

N-kanaaltransistor IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.36€
5-49
1.98€
50-99
1.68€
100-199
1.43€
200+
1.09€
Hoeveelheid in voorraad: 2249

N-kanaaltransistor IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.105 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 3980pF. Equivalenten: IRLR3110ZPbF. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 250A. Kanaaltype: N. Kosten): 170pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. Poort-/bronspanning Vgs: ±16. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(aan): 7.2 ns. Td(uit): 30 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 34-51 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

IRLR3110ZPBF
32 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
45A
ID (T=25°C)
42A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.105 Ohms
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spanning Vds(max)
100V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
3980pF
Equivalenten
IRLR3110ZPbF
Functie
Ultra lage weerstand, snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
250A
Kanaaltype
N
Kosten)
170pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
79W
Poort-/bronspanning Vgs
±16
RoHS
ja
Spec info
Ultra Low On-Resistance
Td(aan)
7.2 ns
Td(uit)
30 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
34-51 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.5V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier