N-kanaaltransistor IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V

N-kanaaltransistor IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.23€
5-49
0.17€
50-99
0.14€
100+
0.13€
+10 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 1318

N-kanaaltransistor IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Binnendiameter (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.035 Ohms. Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spanning Vds(max): 20V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aftapstroom: 4.2A. Afvoerbronspanning: 20V. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 740pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Eigenschappen van halfgeleider: Logisch niveau. Functie: Ultra Low On-Resistance. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 33A. Kanaaltype: N. Kosten): 90pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. RoHS: ja. Td(aan): 7.5 ns. Td(uit): 54 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 1.25W. Vgs(th) min.: 0.6V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

Technische documentatie (PDF)
IRLML2502
36 parameters
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Binnendiameter (T=100°C)
3.4A
ID (T=25°C)
4.2A
Idss (max)
25uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.035 Ohms
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 )
Spanning Vds(max)
20V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aftapstroom
4.2A
Afvoerbronspanning
20V
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
740pF
Conditionering
rol
Conditioneringseenheid
3000
Eigenschappen van halfgeleider
Logisch niveau
Functie
Ultra Low On-Resistance
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
33A
Kanaaltype
N
Kosten)
90pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1uA
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
12V
RoHS
ja
Td(aan)
7.5 ns
Td(uit)
54 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
16 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
1.25W
Vgs(th) min.
0.6V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier