N-kanaaltransistor IRLD024, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): HVMDIP ( DIP-4 ). Spanning Vds(max): 60V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 870pF. Diversen: Dynamic dv/dt Rating. Functie: Snel schakelende poortaandrijving op logisch niveau. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 20A. Kanaaltype: N. Kosten): 360pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. RoHS: ja. Td(aan): 11 ns. Td(uit): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13