N-kanaaltransistor IRLD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 1.7A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): HVMDIP ( DIP-4 ). Spanning Vds(max): 60V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Functie: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Kanaaltype: N. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. RoHS: ja. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: FET. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13