N-kanaaltransistor IRLB1304PTPBF, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

N-kanaaltransistor IRLB1304PTPBF, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
5.53€
5-24
4.90€
25-49
4.53€
50+
4.16€
Hoeveelheid in voorraad: 81

N-kanaaltransistor IRLB1304PTPBF, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.004 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 7660pF. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 740A. Kanaaltype: N. Kosten): 2150pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. RoHS: ja. Td(aan): 21 ns. Td(uit): 45 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET-transistor, logisch niveaugestuurd. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

IRLB1304PTPBF
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
130A
ID (T=25°C)
185A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.004 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
40V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
7660pF
Functie
Poortbesturing op logisch niveau
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
740A
Kanaaltype
N
Kosten)
2150pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
300W
Poort-/bronspanning Vgs
16V
RoHS
ja
Td(aan)
21 ns
Td(uit)
45 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET-transistor, logisch niveaugestuurd
Trr-diode (min.)
100 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier