N-kanaaltransistor IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V

N-kanaaltransistor IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.98€
5-24
1.75€
25-49
1.57€
50-99
1.42€
100+
1.23€
Hoeveelheid in voorraad: 779

N-kanaaltransistor IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.044 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 100V. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1800pF. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaaltype: N. Kosten): 350pF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. RoHS: ja. Td(aan): 11 ns. Td(uit): 39 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

Technische documentatie (PDF)
IRL540NS
26 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
26A
ID (T=25°C)
36A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.044 Ohms
Behuizing
D2PAK ( TO-263 )
Spanning Vds(max)
100V
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1800pF
Functie
Poortbesturing op logisch niveau
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
60.4k Ohms
Kanaaltype
N
Kosten)
350pF
Pd (vermogensdissipatie, max.)
140W
Poort-/bronspanning Vgs
16V
RoHS
ja
Td(aan)
11 ns
Td(uit)
39 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies