N-kanaaltransistor IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V

N-kanaaltransistor IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.21€
5-24
2.88€
25-49
2.62€
50-99
2.41€
100+
2.06€
+10 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd. Laatste items beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 8

N-kanaaltransistor IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.01 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 65.3nC. Aftapstroom: 89A. Afvoerbronspanning: 55V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 3600pF. Conditionering: tubus. Conditioneringseenheid: 50. Eigenschappen van halfgeleider: Logisch niveau. Functie: Gate Drive op logisch niveau, snel schakelen. G-S-bescherming: nee. Huisvesting thermische weerstand: 1.2K/W. ID s (min): 25uA. Id(imp): 310A. Kanaaltype: N. Kosten): 870pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Op de staat weerstand: 10M Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 2V. RoHS: ja. Spanning: 16V, ±16V. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 37 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 94us. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 130W. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

Technische documentatie (PDF)
IRL3705N
41 parameters
Behuizing
TO-220
Binnendiameter (T=100°C)
63A
ID (T=25°C)
89A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.01 Ohms
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
55V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aanval
65.3nC
Aftapstroom
89A
Afvoerbronspanning
55V
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
3600pF
Conditionering
tubus
Conditioneringseenheid
50
Eigenschappen van halfgeleider
Logisch niveau
Functie
Gate Drive op logisch niveau, snel schakelen
G-S-bescherming
nee
Huisvesting thermische weerstand
1.2K/W
ID s (min)
25uA
Id(imp)
310A
Kanaaltype
N
Kosten)
870pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Op de staat weerstand
10M Ohms
Pd (vermogensdissipatie, max.)
170W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
16V
Poort-/emitterspanning VGE(th)max.
2V
RoHS
ja
Spanning
16V, ±16V
Td(aan)
12 ns
Td(uit)
37 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
94us
Type transistor
MOSFET
Vermogen
130W
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier