N-kanaaltransistor IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-kanaaltransistor IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.04€
5-24
2.67€
25-49
2.37€
50-99
2.14€
100+
1.83€
Hoeveelheid in voorraad: 9

N-kanaaltransistor IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.026 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. C(inch): 3700pF. Functie: Logisch niveau. ID s (min): 10uA. Id(imp): 190A. Kanaaltype: N. Kosten): 630pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Td(aan): 11 ns. Td(uit): 49 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

Technische documentatie (PDF)
IRL2910
25 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
39A
ID (T=25°C)
55A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.026 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
100V
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
C(inch)
3700pF
Functie
Logisch niveau
ID s (min)
10uA
Id(imp)
190A
Kanaaltype
N
Kosten)
630pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
200W
Poort-/bronspanning Vgs
16V
Td(aan)
11 ns
Td(uit)
49 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier