N-kanaaltransistor IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

N-kanaaltransistor IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.94€
5-24
1.63€
25-49
1.43€
50-99
1.29€
100+
1.07€
Hoeveelheid in voorraad: 37

N-kanaaltransistor IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 3290pF. Functie: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 400A. Kanaaltype: N. Kosten): 1270pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. RoHS: ja. Td(aan): 11 ns. Td(uit): 23 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

Technische documentatie (PDF)
IRL2203N
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
60A
ID (T=25°C)
116A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.07 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
30 v
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
3290pF
Functie
Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
400A
Kanaaltype
N
Kosten)
1270pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
180W
Poort-/bronspanning Vgs
16V
RoHS
ja
Td(aan)
11 ns
Td(uit)
23 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
56 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier