N-kanaaltransistor IRG4PH50KD, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V

N-kanaaltransistor IRG4PH50KD, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
17.67€
5-9
15.72€
10-24
14.15€
25-49
12.88€
50+
11.13€
Hoeveelheid in voorraad: 12

N-kanaaltransistor IRG4PH50KD, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Collector-emitterspanning Vceo: 1220V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. C(inch): 2800pF. CE-diode: ja. Collectorstroom: 45A. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Functie: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 90A. Kanaaltype: N. Kosten): 140pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 87 ns. Td(uit): 140 ns. Trr-diode (min.): 90 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.77V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

Technische documentatie (PDF)
IRG4PH50KD
27 parameters
Ic(T=100°C)
24A
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT
Collector-emitterspanning Vceo
1220V
Aantal aansluitingen
3
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
C(inch)
2800pF
CE-diode
ja
Collectorstroom
45A
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
25
Functie
Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed)
Germaniumdiode
nee
Ic(puls)
90A
Kanaaltype
N
Kosten)
140pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
200W
Poort-/emitterspanning VGE(th) min.
3V
Poort-/emitterspanning VGE(th)max.
6V
Poort-/emitterspanning VGE
20V
RoHS
ja
Td(aan)
87 ns
Td(uit)
140 ns
Trr-diode (min.)
90 ns
Verzadigingsspanning VCE(sat)
2.77V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier