N-kanaaltransistor IRG4BC30W, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V

N-kanaaltransistor IRG4BC30W, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
5.01€
5-24
4.40€
25-49
3.95€
50-99
3.61€
100+
3.09€
Hoeveelheid in voorraad: 13

N-kanaaltransistor IRG4BC30W, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. C(inch): 980pF. CE-diode: nee. Collectorstroom: 23A. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: vermogens-MOSFET-transistor tot 150 kHz. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 92A. Kanaaltype: N. Kosten): 71pF. Markering op de kast: IRG 4BC30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Td(aan): 25 ns. Td(uit): 99 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

Technische documentatie (PDF)
IRG4BC30W
28 parameters
Ic(T=100°C)
12A
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Collector-emitterspanning Vceo
600V
Aantal aansluitingen
3
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
C(inch)
980pF
CE-diode
nee
Collectorstroom
23A
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
50
Functie
vermogens-MOSFET-transistor tot 150 kHz
Germaniumdiode
nee
Ic(puls)
92A
Kanaaltype
N
Kosten)
71pF
Markering op de kast
IRG 4BC30W
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
100W
Poort-/emitterspanning VGE(th) min.
3V
Poort-/emitterspanning VGE(th)max.
6V
Poort-/emitterspanning VGE
20V
RoHS
ja
Spec info
Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A)
Td(aan)
25 ns
Td(uit)
99 ns
Verzadigingsspanning VCE(sat)
2.1V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier