N-kanaaltransistor IRFZ44NS, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V

N-kanaaltransistor IRFZ44NS, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.70€
5-24
1.46€
25-49
1.32€
50-99
1.22€
100+
1.08€
+3623 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 12

N-kanaaltransistor IRFZ44NS, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 17.5m Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 55V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 1470pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 160A. Kanaaltype: N. Kosten): 360pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 94W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 44 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 63 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

Technische documentatie (PDF)
IRFZ44NS
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
35A
ID (T=25°C)
49A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
17.5m Ohms
Behuizing
D2PAK ( TO-263 )
Behuizing (volgens datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spanning Vds(max)
55V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
1470pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
160A
Kanaaltype
N
Kosten)
360pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
94W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Ultra Low On-Resistance
Td(aan)
12 ns
Td(uit)
44 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
63 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier