N-kanaaltransistor IRFU120N, TO251AA, IPAK
Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.61€
5-9
1.63€
10-19
1.48€
20-49
1.40€
50+
1.33€
| Hoeveelheid in voorraad: 10 |
N-kanaaltransistor IRFU120N, TO251AA, IPAK. Behuizing: TO251AA, IPAK. Aanval: 16.7nC. Aftapstroom: 9.1A. Afvoerbronspanning: 100V. Huisvesting thermische weerstand: 3.2K/W. Montage/installatie: THT. Polariteit: unipolair. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Technologie: HEXFET®. Type transistor: N-MOSFET, HEXFET. Vermogen: 39W. Origineel product van fabrikant: Infineon (irf). Aantal op voorraad bijgewerkt op 01/11/2025, 23:05
IRFU120N
13 parameters
Behuizing
TO251AA, IPAK
Aanval
16.7nC
Aftapstroom
9.1A
Afvoerbronspanning
100V
Huisvesting thermische weerstand
3.2K/W
Montage/installatie
THT
Polariteit
unipolair
RoHS
ja
Spanning
20V, ±20V
Technologie
HEXFET®
Type transistor
N-MOSFET, HEXFET
Vermogen
39W
Origineel product van fabrikant
Infineon (irf)