N-kanaaltransistor IRFS740, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 1000uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 400V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 1500pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 250uA. Id(imp): 40A. Kanaaltype: N. Kosten): 178pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 50 ns. Technologie: Power MOSFET. Trr-diode (min.): 370 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Samsung. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:19