N-kanaaltransistor IRFS634A, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 5.8A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 250V. Aantal per doos: 1. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 32A. Kanaaltype: N. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Technologie: Advanced Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Samsung. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:19