N-kanaaltransistor IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

N-kanaaltransistor IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.22€
5-49
1.03€
50-99
0.90€
100-199
0.81€
200+
0.66€
Hoeveelheid in voorraad: 78

N-kanaaltransistor IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5.2m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 2330pF. Functie: Ultralage weerstand, ultralage poortimpedantie. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 340A. Kanaaltype: N. Kosten): 460pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 15 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:37

Technische documentatie (PDF)
IRFR3709Z
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
61A
ID (T=25°C)
86A
Idss (max)
150uA
Aan-weerstand Rds Aan
5.2m Ohms
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spanning Vds(max)
30 v
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
2330pF
Functie
Ultralage weerstand, ultralage poortimpedantie
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
340A
Kanaaltype
N
Kosten)
460pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
79W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
AUTOMOTIVE MOSFET
Td(aan)
12 ns
Td(uit)
15 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
29 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.25V
Vgs(th) min.
1.35V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier