N-kanaaltransistor IRFR110PBF, D-PAK, TO-252, 100V

N-kanaaltransistor IRFR110PBF, D-PAK, TO-252, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1+
2.35€
Hoeveelheid in voorraad: 818

N-kanaaltransistor IRFR110PBF, D-PAK, TO-252, 100V. Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 180pF. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: 4.3A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.9ns. Markering van de fabrikant: IRFR110PBF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Maximale temperatuur: +150°C.. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. RoHS: ja. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Origineel product van fabrikant: Vishay (ir). Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/11/2025, 19:02

Technische documentatie (PDF)
IRFR110PBF
17 parameters
Behuizing
D-PAK
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-252
Afvoerbronspanning Uds [V]
100V
Aantal aansluitingen
3
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.54 Ohms @ 2.6A
Ciss-poortcapaciteit [pF]
180pF
Componentfamilie
MOSFET, N-MOS
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
4.3A
Inschakeltijd ton [nsec.]
6.9ns
Markering van de fabrikant
IRFR110PBF
Maximale dissipatie Ptot [W]
2.5W
Maximale temperatuur
+150°C.
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
4 v
RoHS
ja
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
15 ns
Origineel product van fabrikant
Vishay (ir)