N-kanaaltransistor IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V

N-kanaaltransistor IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.80€
5-49
0.68€
50-99
0.59€
100-199
0.53€
200+
0.44€
Hoeveelheid in voorraad: 118

N-kanaaltransistor IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 100V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 180pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 17A. Kanaaltype: N. Kosten): 80pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 6.9ns. Td(uit): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:37

Technische documentatie (PDF)
IRFR110
28 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
2.7A
ID (T=25°C)
4.3A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.54 Ohms
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
D-PAK TO-252AA
Spanning Vds(max)
100V
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
180pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
17A
Kanaaltype
N
Kosten)
80pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
25W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
6.9ns
Td(uit)
15 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
100 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier