N-kanaaltransistor IRFPE50, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V

N-kanaaltransistor IRFPE50, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
4.88€
5-24
4.29€
25-49
3.86€
50-99
3.51€
100+
2.99€
Hoeveelheid in voorraad: 127

N-kanaaltransistor IRFPE50, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 7.8A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 3100pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 31A. Kanaaltype: N. Kosten): 800pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Td(aan): 19 ns. Td(uit): 120ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:37

Technische documentatie (PDF)
IRFPE50
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
4.7A
ID (T=25°C)
7.8A
Idss (max)
500uA
Aan-weerstand Rds Aan
1.2 Ohms
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247AC
Spanning Vds(max)
800V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
3100pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
100uA
Id(imp)
31A
Kanaaltype
N
Kosten)
800pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
190W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
Td(aan)
19 ns
Td(uit)
120ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
650 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier