N-kanaaltransistor IRFP90N20D, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

N-kanaaltransistor IRFP90N20D, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
7.91€
5-9
7.14€
10-24
6.56€
25-49
6.13€
50+
5.48€
Hoeveelheid in voorraad: 45

N-kanaaltransistor IRFP90N20D, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 66A. ID (T=25°C): 94A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.023 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 200V. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1070pF. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 380A. Kanaaltype: N. Kosten): 6040pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 580W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Td(aan): 23 ns. Td(uit): 43 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:37

Technische documentatie (PDF)
IRFP90N20D
27 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
66A
ID (T=25°C)
94A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.023 Ohms
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247AC
Spanning Vds(max)
200V
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1070pF
Functie
Hoogfrequente DC-DC-conversie
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
380A
Kanaaltype
N
Kosten)
6040pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
580W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
Td(aan)
23 ns
Td(uit)
43 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies