N-kanaaltransistor IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V

N-kanaaltransistor IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
7.07€
5-9
6.44€
10-24
6.00€
25-49
5.60€
50+
5.00€
Hoeveelheid in voorraad: 63

N-kanaaltransistor IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 148A. ID (T=25°C): 209A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6m Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 75V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 13000pF. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 20uA. Id(imp): 870A. Kanaaltype: N. Kosten): 2100pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 470W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 23 ns. Td(uit): 130 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45

Technische documentatie (PDF)
IRFP2907
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
148A
ID (T=25°C)
209A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
3.6m Ohms
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247AC
Spanning Vds(max)
75V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
13000pF
Functie
AUTOMOTIVE MOSFET
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
20uA
Id(imp)
870A
Kanaaltype
N
Kosten)
2100pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
470W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
23 ns
Td(uit)
130 ns
Technologie
HEXFET ® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
140 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier