N-kanaaltransistor IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

N-kanaaltransistor IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
9.85€
5-14
9.13€
15-29
8.60€
30-59
8.19€
60+
7.57€
Hoeveelheid in voorraad: 17

N-kanaaltransistor IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 4660pF. Functie: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 50uA. Id(imp): 110A. Kanaaltype: N. Kosten): 460pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 500W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 27 ns. Td(uit): 43 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 620 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45

Technische documentatie (PDF)
IRFP27N60KPBF
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
18A
ID (T=25°C)
27A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.18 Ohms
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247AC
Spanning Vds(max)
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
4660pF
Functie
SMPS MOSFET, Low Gate Charge
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
50uA
Id(imp)
110A
Kanaaltype
N
Kosten)
460pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
500W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
27 ns
Td(uit)
43 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
620 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Vishay