N-kanaaltransistor IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

N-kanaaltransistor IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
4.76€
5-24
4.22€
25-49
3.82€
50-99
3.47€
100+
3.05€
Hoeveelheid in voorraad: 121

N-kanaaltransistor IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 200V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 4057pF. Functie: dynamische dv/dt-verhouding, snel schakelen. G-S-bescherming: nee. Gewicht: 5.57g. ID s (min): 25uA. Id(imp): 200A. Kanaaltype: N. Kosten): 603pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 17 ns. Td(uit): 55 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 268 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45

Technische documentatie (PDF)
IRFP260N
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
35A
ID (T=25°C)
50A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.04 Ohms
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247AC
Spanning Vds(max)
200V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
4057pF
Functie
dynamische dv/dt-verhouding, snel schakelen
G-S-bescherming
nee
Gewicht
5.57g
ID s (min)
25uA
Id(imp)
200A
Kanaaltype
N
Kosten)
603pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
300W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
17 ns
Td(uit)
55 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
268 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier