N-kanaaltransistor IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V

N-kanaaltransistor IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.54€
5-9
2.21€
10-24
1.97€
25-49
1.81€
50+
1.58€
+15 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 38

N-kanaaltransistor IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V. Behuizing: TO-247. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.36 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 73.3nC, 110nC. Aftapstroom: 30A, 39A. Afvoerbronspanning: 100V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 1900pF. Conditionering: tubus. Conditioneringseenheid: 30. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. Huisvesting thermische weerstand: 1.1K/W. ID s (min): 25uA. Id(imp): 140A. Kanaaltype: N. Kosten): 450pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Td(aan): 11 ns. Td(uit): 45 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 180 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 160W. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45

Technische documentatie (PDF)
IRFP150N
38 parameters
Behuizing
TO-247
Binnendiameter (T=100°C)
30A
ID (T=25°C)
42A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.36 Ohms
Behuizing (volgens datablad)
TO-247AC
Spanning Vds(max)
100V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aanval
73.3nC, 110nC
Aftapstroom
30A, 39A
Afvoerbronspanning
100V
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
1900pF
Conditionering
tubus
Conditioneringseenheid
30
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
Huisvesting thermische weerstand
1.1K/W
ID s (min)
25uA
Id(imp)
140A
Kanaaltype
N
Kosten)
450pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
160W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
20V, ±20V
Td(aan)
11 ns
Td(uit)
45 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
180 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
160W
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier