N-kanaaltransistor IRFL4105PBF, SOT-223 ( TO-226 ), 55V, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223, 55V

N-kanaaltransistor IRFL4105PBF, SOT-223 ( TO-226 ), 55V, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223, 55V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.21€
5-24
1.04€
25-49
0.90€
50-99
0.79€
100+
0.63€
+207 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 152

N-kanaaltransistor IRFL4105PBF, SOT-223 ( TO-226 ), 55V, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223, 55V. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (JEDEC-standaard): -. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.045 Ohms. Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 55V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 3.7A. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 660pF. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 660pF. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: 3.7A. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 30A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.1 ns. Kanaaltype: N. Kosten): 230pF. Markering van de fabrikant: FL4105. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.1W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. RoHS: ja. Td(aan): 7.1 ns. Td(uit): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45

Technische documentatie (PDF)
IRFL4105PBF
43 parameters
Behuizing
SOT-223 ( TO-226 )
Afvoerbronspanning Uds [V]
55V
Binnendiameter (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
5.2A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.045 Ohms
Behuizing (volgens datablad)
SOT-223
Spanning Vds(max)
55V
Aantal aansluitingen
3
Aantal aansluitingen
4
Aantal per doos
1
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.045 Ohms @ 3.7A
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
660pF
Ciss-poortcapaciteit [pF]
660pF
Componentfamilie
MOSFET, N-MOS
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
3.7A
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
30A
Inschakeltijd ton [nsec.]
7.1 ns
Kanaaltype
N
Kosten)
230pF
Markering van de fabrikant
FL4105
Maximale dissipatie Ptot [W]
2.1W
Maximale temperatuur
+150°C.
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
2.1W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
4 v
RoHS
ja
Td(aan)
7.1 ns
Td(uit)
19 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
55 ns
Type transistor
MOSFET
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
19 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier