N-kanaaltransistor IRFL210PBF, SOT-223, 200V

N-kanaaltransistor IRFL210PBF, SOT-223, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-79
1.76€
80+
1.46€
Hoeveelheid in voorraad: 455

N-kanaaltransistor IRFL210PBF, SOT-223, 200V. Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 140pF. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: 0.96A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.2 ns. Markering van de fabrikant: FC. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.1W. Maximale temperatuur: +150°C.. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. RoHS: ja. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 14 ns. Origineel product van fabrikant: Vishay (siliconix). Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45

Technische documentatie (PDF)
IRFL210PBF
16 parameters
Behuizing
SOT-223
Afvoerbronspanning Uds [V]
200V
Aantal aansluitingen
3
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
1.5 Ohms @ 0.58A
Ciss-poortcapaciteit [pF]
140pF
Componentfamilie
MOSFET, N-MOS
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
0.96A
Inschakeltijd ton [nsec.]
8.2 ns
Markering van de fabrikant
FC
Maximale dissipatie Ptot [W]
3.1W
Maximale temperatuur
+150°C.
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
4 v
RoHS
ja
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
14 ns
Origineel product van fabrikant
Vishay (siliconix)