N-kanaaltransistor IRFL210, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

N-kanaaltransistor IRFL210, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.78€
5-24
0.66€
25-49
0.57€
50-99
0.51€
100+
0.41€
Hoeveelheid in voorraad: 55

N-kanaaltransistor IRFL210, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.96A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 200V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 140pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 7.7A. Kanaaltype: N. Kosten): 53pF. Let op: zeefdruk/SMD-code FC. Markering op de kast: FC. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 8.2 ns. Td(uit): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45

Technische documentatie (PDF)
IRFL210
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
0.6A
ID (T=25°C)
0.96A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
1.5 Ohms
Behuizing
SOT-223 ( TO-226 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-223
Spanning Vds(max)
200V
Aantal aansluitingen
4
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
140pF
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
7.7A
Kanaaltype
N
Kosten)
53pF
Let op
zeefdruk/SMD-code FC
Markering op de kast
FC
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
3.1W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
8.2 ns
Td(uit)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
150 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier