N-kanaaltransistor IRFL024N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V

N-kanaaltransistor IRFL024N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.75€
5-24
0.59€
25-49
0.50€
50-99
0.45€
100+
0.38€
Hoeveelheid in voorraad: 179

N-kanaaltransistor IRFL024N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 2.8A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 55V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 400pF. Equivalenten: IRFL024NPBF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 11.2A. Kanaaltype: N. Kosten): 145pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.1W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 8.1 ns. Td(uit): 22.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 35 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45

Technische documentatie (PDF)
IRFL024N
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
2.3A
ID (T=25°C)
2.8A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.075 Ohms
Behuizing
SOT-223 ( TO-226 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-223
Spanning Vds(max)
55V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
400pF
Equivalenten
IRFL024NPBF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
11.2A
Kanaaltype
N
Kosten)
145pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
2.1W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
8.1 ns
Td(uit)
22.2 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
35 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier