N-kanaaltransistor IRFIBC20G, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4.4 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 350pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 6A. Kanaaltype: N. Kosten): 48pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 10 ns. Td(uit): 30 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 290ms. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45