N-kanaaltransistor IRFI640GPBF, ITO-220AB, 200V

N-kanaaltransistor IRFI640GPBF, ITO-220AB, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-9
3.06€
10+
2.55€
Hoeveelheid in voorraad: 125

N-kanaaltransistor IRFI640GPBF, ITO-220AB, 200V. Behuizing: ITO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: 9.8A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Markering van de fabrikant: IRFI640GPBF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Maximale temperatuur: +150°C.. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. RoHS: ja. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Origineel product van fabrikant: Vishay (ir). Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45

Technische documentatie (PDF)
IRFI640GPBF
16 parameters
Behuizing
ITO-220AB
Afvoerbronspanning Uds [V]
200V
Aantal aansluitingen
3
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.18 Ohms @ 5.9A
Ciss-poortcapaciteit [pF]
1300pF
Componentfamilie
MOSFET, N-MOS
Configuratie
PCB-doorvoermontage
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
9.8A
Inschakeltijd ton [nsec.]
14 ns
Markering van de fabrikant
IRFI640GPBF
Maximale dissipatie Ptot [W]
40W
Maximale temperatuur
+150°C.
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
4 v
RoHS
ja
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
45 ns
Origineel product van fabrikant
Vishay (ir)