N-kanaaltransistor IRFD210, 0.38A, 0.6A, 250uA, 1.5 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 200V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 140pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 4.8A. Kanaaltype: N. Kosten): 53pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 8.2 ns. Td(uit): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45