N-kanaaltransistor IRFD123, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 360pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 10A. Kanaaltype: N. Kosten): 150pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 6.8 ns. Td(uit): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45