N-kanaaltransistor IRFD110, DIP, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 100V
| +2 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Hoeveelheid in voorraad: 51 |
N-kanaaltransistor IRFD110, DIP, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 100V. Behuizing: DIP. Binnendiameter (T=100°C): 0.71A. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Aanval: 8.3nC. Aftapstroom: 700mA, 0.71A. Afvoerbronspanning: 100V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 180pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 8A. Kanaaltype: N. Kosten): 81pF. Markering van de fabrikant: IRFD110PBF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Op de staat weerstand: 0.54 Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Td(aan): 6.9ns. Td(uit): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 1.3W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45