N-kanaaltransistor IRFD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 60V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 310pF. Functie: td(on) 10ns, td(off) 13ns. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 14A. Kanaaltype: N. Kosten): 160pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 10 ns. Td(uit): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: FET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45