N-kanaaltransistor IRFBG30, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 1000V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 980pF. Functie: Dynamic dv/dt Rating. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 12A. Kanaaltype: N. Kosten): 140pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 89 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45