N-kanaaltransistor IRFBF20S, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 8 Ohms. Behuizing: TO-262 ( I2-PAK ). Behuizing (volgens datablad): TO-262. Spanning Vds(max): 900V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 490pF. Functie: Dynamic dv/dt Rating. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 6.8A. Kanaaltype: N. Kosten): 55pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 54W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 8 ns. Td(uit): 56 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 350 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45