N-kanaaltransistor IRFBE30, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1300pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 16A. Kanaaltype: N. Kosten): 310pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 82 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 480 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45