N-kanaaltransistor IRFB9N65A, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (max): 8.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.93 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 650V. Aantal per doos: 1. Functie: Dynamic dv/dt Rating. Kanaaltype: N. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45