N-kanaaltransistor IRFB9N60A, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 1400pF. Functie: Dynamic dv/dt Rating. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 37A. Kanaaltype: N. Kosten): 180pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Snel schakelen. Td(aan): 13 ns. Td(uit): 30 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 530 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:34