N-kanaaltransistor IRFB7444PBF, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

N-kanaaltransistor IRFB7444PBF, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.67€
5-24
1.44€
25-49
1.30€
50-99
1.20€
100+
1.04€
Hoeveelheid in voorraad: 61

N-kanaaltransistor IRFB7444PBF, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 4730pF. Functie: BLDC Motoraandrijftoepassingen, batterijgevoede circuits, DC/DC- en AC/DC-converters. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 770A. Kanaaltype: N. Kosten): 680pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 143W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 24 ns. Td(uit): 115 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45

IRFB7444PBF
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
60.4k Ohms
ID (T=25°C)
172A
Idss (max)
150uA
Aan-weerstand Rds Aan
2M Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
40V
Aantal aansluitingen
3
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
4730pF
Functie
BLDC Motoraandrijftoepassingen, batterijgevoede circuits, DC/DC- en AC/DC-converters
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
770A
Kanaaltype
N
Kosten)
680pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
143W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
24 ns
Td(uit)
115 ns
Technologie
StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
24 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3.9V
Vgs(th) min.
2.2V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies