N-kanaaltransistor IRFB4229, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V

N-kanaaltransistor IRFB4229, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
6.61€
5-24
5.96€
25-49
5.50€
50-99
5.19€
100+
4.62€
Hoeveelheid in voorraad: 91

N-kanaaltransistor IRFB4229, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 38m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 250V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 4560pF. Functie: Klasse-D audioversterker 300W-500W (halve brug). G-S-bescherming: nee. ID s (min): 20uA. Id(imp): 180A. Kanaaltype: N. Kosten): 390pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 18 ns. Td(uit): 30 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 09:45

Technische documentatie (PDF)
IRFB4229
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
33A
ID (T=25°C)
46A
Idss (max)
1mA
Aan-weerstand Rds Aan
38m Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
250V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-40...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
4560pF
Functie
Klasse-D audioversterker 300W-500W (halve brug)
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
20uA
Id(imp)
180A
Kanaaltype
N
Kosten)
390pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
330W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
18 ns
Td(uit)
30 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
190 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier