N-kanaaltransistor IRFB4110PBF, 100V, 100V, 3.7m Ohms, TO-220, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, TO-220AB, 100V
| +18 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Hoeveelheid in voorraad: 49 |
N-kanaaltransistor IRFB4110PBF, 100V, 100V, 3.7m Ohms, TO-220, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, TO-220AB, 100V. Vdss (afvoer naar bronspanning): 100V. Afvoerbronspanning (Vds): 100V. Aan-weerstand Rds Aan: 3.7m Ohms. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 9620pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: PDP-schakelaar. G-S-bescherming: nee. Gewicht: 1.99g. ID s (min): 20uA. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 180A. Id(imp): 670A. Informatie: -. Kanaaltype: N. Kenmerken: -. Kosten): 670pF. MSL: -. Maximale afvoerstroom: 120A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Montagetype: THT. Pd (vermogensdissipatie, max.): 370W. Polariteit: MOSFET N. Poort-/bronspanning Vgs max: -20V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RDS ON (MAX) @ ID, VGS: 4.5m Ohms / 75A / 10V. RoHS: ja. Serie: HEXFET. Spanning: 10V. Td(aan): 78 ns. Td(uit): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 370W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14